近日，法国半导体巨头意法半导体（STMicroelectronics）计划在意大利西西里岛Catane投资50亿欧元（约392亿人民币），兴建一座碳化硅（SiC）超级半导体晶圆厂。这一重磅决定旨在平衡公司在法国和意大利的布局，并为电动车关键技术的研发提供强大支持。
为保持竞争力，意法半导体计划自2024年起转型至8英寸晶圆制造，并整合Soitec的SmartSiC技术以提高效能并减少碳排放。公司还积极提升产能，加强内部制造，并与中国企业三安光电展开合作，旨在将SiC芯片相关营收由今年预期的12亿美元提升至2030年前的50亿美元。
这不是意法半导体与三安光电的首次合作。早在今年6月7日，双方就达成协议，在重庆建立新的8英寸SiC器件合资制造厂，总投资达32亿美元。为确保庞大的投资计划顺利进行，三安光电将利用自研SiC衬底工艺独立建造和运营8英寸SiC衬底制造厂，以满足合资厂的需求，助力意法半导体加速向8英寸进军。
分析机构TrendForce集邦咨询指出，目前SiC产业主要以6英寸衬底为主，但8英寸衬底仅占1%，向更大的8英寸衬底过渡是未来降低SiC器件成本的关键策略。8英寸SiC衬底相较于6英寸同类衬底具有明显的成本优势，是行业发展的大趋势。国内外龙头企业纷纷推进8英寸SiC衬底的研发，将衬底成本降低后，有望进一步推广SiC器件，为产业形成良性循环。
此举引起了国际半导体巨头的积极响应，英飞凌、安森美等均已加入争夺市场份额的行列。英飞凌已制备第一批8英寸晶圆机械样品，计划在2030年前进行大规模量产应用。安森美、罗姆等国际器件大厂也制定了8英寸SiC晶圆的发展规划，共同参与市场竞争。
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