ictimes消息，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封装的1,200V MOSFET，用户可以根据需要选择是否搭配使用1,200V SiC肖特基二极管，这也拓宽了QSiC SiC模块的选择范围。
SemiQ的这款新模块建立在坚固的高性能陶瓷基础上，经过精心设计，能在各种严苛环境下稳定运行，展现出卓越的性能。其改进的功能使得设计配置更为简化，功率密度得到显著提升。模块的高击穿电压（> 1,400 V）、高温工作（TJ= 175°C）以及在全温范围内低Rds(On)等特性，使其在市场上独树一帜。此外，这些模块还具备最长的栅极氧化层寿命和稳定性、抗雪崩（UIS）以及更长的短路耐受时间，为用户提供了更多保障。
对于这些潜在的应用市场，SemiQ 的 QSiC 模块具有无可比拟的优势。无论是电动汽车充电系统，还是数据中心电源，甚至是 UPS/PFC 电路，QSiC 模块都能提供卓越的性能和可靠性。
为了满足这些不同应用的需求，SemiQ 提供了多种规格的 QSiC 模块，包括不同的栅极阈值电压和不同的 SiC MOSFET 尺寸。其中，新型的 1,200V SOT-227 模块提供了三种不同规格的 SiC MOSFET 尺寸，包括 20 mΩ、40 mΩ 和 80 mΩ。这种模块的特点是具有出色的性能和可靠性，非常适合于需要高电压和大电流的应用场景。
SOT-227 的封装形式也为模块的集成和部署提供了便利。由于其小型化和易安装的特点，SOT-227 模块非常适合需要高度集成和紧凑设计的现代电源系统。此外，SOT-227 的封装形式也使得模块的散热性能得到了优化，从而提高了系统的整体效率。
值得一提的是，SemiQ 对 QSiC 模块的质量控制非常严格。从晶圆级别的老化测试到各种应力测试，SemiQ 都力求确保每个模块都达到最高质量标准。这种对质量的追求，使得 SemiQ 的 QSiC 模块在市场上具有很高的竞争力。
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