消息称 I O 翻倍影响 HBM4 DRAM Die 面积，初期 12Hi 堆栈超 600 美元

6 月 10 日消息，韩媒 the bell 当地时间昨日报道称，由于 HBM4 内存的 I/O 数量较此前产品翻倍至 2048，在 HBM4 DRAM上沿用 1b 工艺的 SK 海力士和美光不得不扩大 DRAM Die 的面积，降低了单晶圆上可生产的 HBMDRAM Die 数量。nZi28资讯网——每日最新资讯28at.com

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不过对于三星电子而言，由于其 HBM4 内存的 DRAM Die 工艺将从前代的 1a nm 升级两代到 1c nm，预计单晶圆 DRAM Die 产量仍将有所提升。但考虑到工艺复杂度的变化，三星的 HBM4 实际成本也将增加。nZi28资讯网——每日最新资讯28at.com

业界消息预计，HBM4 内存的早期规格 12Hi 36GB 的市场售价将超过 600 美元（IT酷哥注：现汇率约合 4311 元人民币），形成较同容量 HBM3E 的明显溢价。nZi28资讯网——每日最新资讯28at.com

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