在国内光子芯片领域迎来重大突破之际，上海交大无锡光子芯片研究院（CHIPX）宣布成功下线国内首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆。这一成就标志着我国在高性能光子芯片制造技术上取得了关键进展，同时实现了超低损耗、超高带宽的薄膜铌酸锂调制器芯片的规模化量产。
光量子芯片作为光量子计算的核心组件，其产业化进程对于我国在量子信息领域的自主可控发展具有重大意义。然而，长期以来，我国光量子技术面临着实验室成果难以量产的困境，这严重制约了产业的发展。为了打破这一瓶颈，CHIPX于2022年启动了国内首条光子芯片中试线的建设。
经过不懈努力，2024年9月，CHIPX正式启用了集光子芯片研发、设计、加工和应用为一体的中试线。如今，首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆成功下线，标志着中试平台已经具备了量产能力。这一突破不仅解决了共性关键工艺技术平台的缺失问题，更为我国在量子科技竞争中抢占制高点提供了有力支撑。
薄膜铌酸锂因其超快电光效应、高带宽和低功耗等优势，在5G通信、量子计算等领域展现出巨大潜力。然而，由于其材料脆性大，大尺寸薄膜铌酸锂晶圆的制备一直是个难题。CHIPX工艺团队通过引进110余台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖了薄膜铌酸锂晶圆从光刻到封装的全闭环工艺，成功攻克了这一难题。
团队通过创新性开发芯片设计、工艺方案与设备系统的协同适配技术，实现了从光刻图形化到封装测试的全制程工艺突破。在6寸铌酸锂晶圆上，团队实现了110nm高精度波导刻蚀，并通过步进式光刻完成了高均一性、纳米级波导与复杂高性能电极结构的跨尺度集成。
凭借中试平台先进的纳米级加工设备和快速工艺迭代能力，CHIPX工艺团队在性能上实现了跨越式突破。调制带宽突破110GHz，插入损耗低于3.5dB，波导损耗低于0.2dB/cm，调制效率达到1.9V·cm。这些关键指标的全面领先，标志着我国在高性能光子芯片技术上取得了重大进展。
为了推动光子芯片技术的进一步发展，CHIPX还发布了PDK工艺设计包，将高性能薄膜铌酸锂调制器芯片的核心工艺参数与器件模型全面纳入并开放共享。研究院还面向高校、科研院所及企业提供从概念设计到流片验证再到量产的全流程技术服务。
CHIPX通过开放DUV光刻、电子束刻蚀等110台套核心设备，为芯片设计、流片代工到测试验证提供了闭环服务。同时，研究院还联合高校院所攻关核心技术，牵头承担了多项国家级重点研发项目。CHIPX还联动了国内首支光子芯片产业基金，为初创硬科技企业提供资金支持及运营赋能。
自2021年成立以来，CHIPX在无锡市与上海交通大学的合作框架下，致力于高端光子芯片的研发和产业化应用。通过布局国内首条光子芯片中试线，研究院推动了量子计算机、通用光子处理器、三维光互连芯片等技术在无锡市的落地转化。
围绕光子芯片中试线平台的基础设施和研发支撑，CHIPX正在建设核心技术和产业形态聚焦的“光子芯谷”。这一举措旨在打造以光子芯片底层技术为驱动，面向量子计算、人工智能、光通信、光互连、激光雷达、成像与显示、智能传感的新一代光子科技产业集群。
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