在2023 IEEE国际电子器件会议（IEDM 2023）上，英特尔公司展示了一系列引人注目的技术突破，为未来制程路线图提供了丰富的创新技术储备。英特尔的研究人员成功展示了结合背面供电和直接背面触点的3D堆叠CMOS晶体管，这项技术在同一块300毫米晶圆上实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。
英特尔公司高级副总裁兼组件研究总经理Sanjay Natarajan表示：“在IEDM 2023上，英特尔展示了继续推进摩尔定律的研究进展，为下一代移动计算需求提供了前沿技术，彰显了我们在技术创新方面的领先地位。”
晶体管微缩和背面供电是满足世界对更强大算力需求的关键。英特尔一直致力于满足算力需求，通过不断创新推动半导体行业发展，保持摩尔定律的“基石”。英特尔组件研究团队在技术领域的不断拓展包括晶体管堆叠、背面供电技术提升以及不同材料晶体管的同一晶圆集成。
近期在制程技术路线图上的多项进展显示英特尔正在通过技术创新不断微缩晶体管。PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct等创新技术都源自英特尔组件研究团队，预计将在2030年前投产。
在IEDM 2023上，英特尔组件研究团队展示了其在技术创新方面的持续投入，通过高效堆叠晶体管实现性能提升。结合背面供电和背面触点的技术将推动晶体管架构技术的重大进步。英特尔正致力于在2030年前实现在单个封装内集成一万亿个晶体管。
英特尔在IEDM 2023上展示了业界领先的3D堆叠CMOS晶体管，结合了背面供电和背面触点技术。这项最新晶体管研究成果在垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）方面取得了突破，具备微缩至60纳米栅极间距的能力。这一技术领域的领先地位显示了英特尔在全环绕栅极（GAA）晶体管领域的创新能力。
超越“四年五个制程节点”计划，英特尔确定了所需的关键研发领域，PowerVia将于2024年生产准备就绪，进一步拓展背面供电技术的路径。英特尔成功在同一块300毫米晶圆上集成硅晶体管和氮化镓晶体管，展示了其在硅基氮化镓（GaN-on-silicon）晶圆领域的卓越表现。
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