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三星Galaxy S24整合LLW DRAM，能效提升70%

来源：责编：时间：2023-12-02 17:22:07 234观看

导读三星电子半导体通过其社交媒体平台“X”首次发布了一则长达44秒的LLW DRAM广告视频。这标志着三星首次向公众介绍LLW DRAM。视频揭示，LLW DRAM并非完全替代现有的DRAM，而是与CPU协同工作，计划将其应用于扩展现实（XR）、智能

三星电子半导体通过其社交媒体平台“X”首次发布了一则长达44秒的LLW DRAM广告视频。这标志着三星首次向公众介绍LLW DRAM。视频揭示，LLW DRAM并非完全替代现有的DRAM，而是与CPU协同工作，计划将其应用于扩展现实（XR）、智能手机、游戏和个人电脑等领域。

据业内分析，三星电子有望在即将发布的Galaxy S24中首次搭载创新内存LLW（低延迟宽I/O）DRAM，以支持设备上的人工智能。Galaxy S24计划于明年第一季度发布。

LLW DRAM是专为设备上人工智能而设计的动态随机存储器（DRAM）。通过增加输入/输出端口（I/O），LLW DRAM技术提高了数据处理能力（带宽），当靠近处理器时，相较于普通DRAM，功耗效率提高约70%。

尽管目前尚不清楚三星电子何时将采用LLW DRAM，但迹象表明，它有望首次应用于Galaxy S24。这一举措将进一步巩固三星在半导体领域的创新地位，为未来的智能设备提供更高性能和更低延迟的内存解决方案。

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