Transphorm推出首款顶部散热TOLT氮化镓晶体管

Transphorm，氮化镓（GaN）功率半导体的领先供应商，近日宣布推出业内首款采用顶部散热的TOLT氮化镓晶体管。这款新品TP65H070G4RS，是Transphorm的SuperGaN® FET系列中的一员，导通电阻仅为72毫欧。它采用了JEDEC标准的TOLT封装，是首个此类封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。ZCk28资讯网——每日最新资讯28at.com

ZCk28资讯网——每日最新资讯28at.com

TP65H070G4RS利用了Transphorm强大的650 V常闭型d-mode氮化镓平台，这一平台在效率上优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。SuperGaN平台的优势与TOLT封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为电源系统客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。ZCk28资讯网——每日最新资讯28at.com

ZCk28资讯网——每日最新资讯28at.com

Transphorm正与全球多个高功率GaN合作伙伴展开合作，包括服务器和存储电源领域的领先客户。新品的发布进一步丰富了Transphorm的产品线，彰显了其以不同封装形式器件支持客户应用的市场承诺。ZCk28资讯网——每日最新资讯28at.com

ZCk28资讯网——每日最新资讯28at.com

本文链接：http://www.28at.com/showinfo-27-35464-0.htmlTransphorm推出首款顶部散热TOLT氮化镓晶体管

声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com

上一篇： 增长率极低，美光DRAM业绩不容乐观

下一篇： SKMP成功研发高厚度KrF光刻胶