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SK海力士展示世界首款321层NAND闪存芯片样品

来源: 责编: 时间:2023-11-30 09:28:03 379观看
导读韩国SK集团旗下子公司SK Material Performance (SKMP)成功开发出一款高厚度KrF光刻胶,并通过了SK海力士的性能验证。这款光刻胶的厚度为14~15微米,与东进半导体向三星供应的产品类似,而日本JSR公司的类似产品厚度仅为10

韩国SK集团旗下子公司SK Material Performance (SKMP)成功开发出一款高厚度KrF光刻胶,并通过了SK海力士的性能验证。这款光刻胶的厚度为14~15微米,与东进半导体向三星供应的产品类似,而日本JSR公司的类似产品厚度仅为10微米。这种光刻胶对于提高3D NAND闪存工艺处理效率有很大帮助,但更高的厚度也意味着技术难度更高。Iw328资讯网——每日最新资讯28at.com


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由于化学材料的粘性可能导致涂层表面不平整,东进半导体目前仍是这类产品的唯一供应商。然而,随着SKMP加入竞争,SK海力士将能够用这款KrF光刻胶生产238层3D NAND闪存。SKMP很可能取代日本JSR的主导地位,成为其主要的供应商。Iw328资讯网——每日最新资讯28at.com


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目前,SK海力士238层3D NAND闪存晶圆的月产能约为5000片,预计未来将进一步提升产能,从而带动SKMP公司光刻胶的销量。此外,SK海力士还展示了世界首款321层NAND闪存芯片样品,预计产品将于2025年量产。Iw328资讯网——每日最新资讯28at.com


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