三星电子（Samsung Electronics）在近期的一次投资者论坛活动中，向外界透露了其2024年的半导体新战略——GDP。该战略将围绕环绕式闸极（GAA）技术、DRAM存储器以及先进封装服务展开。
据报道，三星的GDP战略旨在通过减少3纳米以下处理器漏电流的GAA技术、推出新一代DRAM产品以及提供先进的封装服务来提高半导体业务的竞争力。在3纳米晶圆代工制程方面，三星计划对GAA技术进行改进，以更好地应对漏电流问题。此外，该公司还计划在2024年推出低延迟带宽（LLW）DRAM，这种新型DRAM的电力使用效率较传统DRAM大幅提升70%。
同时，三星还计划发布先进的3D芯片封装技术，包括最先进的3.5D封装。这些封装技术将瞄准人工智能（AI）半导体爆发式商机。三星希望通过将两种芯片封装在一起，提供超低功耗和高效能，成为GDP战略的核心。具体来说，三星计划在2024年推出新一代LLW DRAM，这种处理器的数据处理速度和容量都将更高。与现有移动产品DRAM相比，LLW DRAM的电源使用效率提高了70%，并计划用于三星正在开发的XR装置。
业界分析认为，三星的GDP战略主要瞄准AI半导体市场。除了提升产品效能外，该公司还计划在生产成本方面优于竞争对手。市场调研机构Omdia的数据显示，2023年AI半导体市场规模约为553亿美元，预计到2027年将增长至1,120亿美元。
另外有消息称，三星正计划将自家开发的AI模型三星高斯（Samsung Gauss）整合到下一代旗舰手机Galaxy S24系列中。此外，该公司还与特斯拉展开合作，为Level 5自驾车开发下一代全自驾（FSD）芯片。这些举措充分表明三星在AI领域的雄心壮志和战略布局。
三星的GDP战略展示了其在半导体领域的创新力和前瞻性。通过加强前沿技术的研发和推出高效的产品和服务，三星正积极应对AI市场的挑战并把握机遇。随着技术的不断进步和市场的发展，我们有理由相信三星将在AI芯片领域取得重要的突破和成就。
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