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国产光刻机挑战：突破核心技术差距待解

来源：责编：时间：2023-11-28 09:32:38 170观看

导读在国内芯片产业中，光刻机技术一直是制约发展的关键。在没有ASML提供浸润式光刻机和EUV光刻机的情况下，国产光刻机难以在7nm以下取得突破。近年来，国内频繁传出光刻机突破的消息，但关键问题在于核心部件的国产化进展如何？光

在国内芯片产业中，光刻机技术一直是制约发展的关键。在没有ASML提供浸润式光刻机和EUV光刻机的情况下，国产光刻机难以在7nm以下取得突破。

近年来，国内频繁传出光刻机突破的消息，但关键问题在于核心部件的国产化进展如何？

光刻技术是在特定波长的光照下，借助光刻胶将图形转移到基片上的工艺。核心部件包括光源系统、物镜系统和双工作台。

光源系统使用193nm波长的深紫外线，目前上海微电子的90nm光刻机也采用了193nm波长，支持最高达到7nm。

物镜系统是真正的难点，ASML使用的是由卡尔蔡司提供的，目前国产光刻机的物镜系统尚处于90nm水平，但据称长春光电所的物镜系统已经达到32nm，尚待确认是否已应用于光刻机。

在物镜系统方面，国内与ASML仍存在较大差距，可能是限制国产光刻机突破的重要因素之一。克服这一挑战，将是国产光刻机向前迈进的重要一步。

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