日本Rapidus公司近期宣布，他们计划与日本东京大学、法国半导体研究机构Leti以及日本先进半导体技术中心（LSTC）展开合作，共同研发1纳米等级芯片的IC设计基础技术。这一合作将进一步提升芯片制造的技术水平，以满足日益增长的计算需求。
据日经新闻报道，Rapidus与东京大学、理化学研究所（Riken）参与的LSTC研究机构已于2023年10月与法国Leti签订了合作备忘录（MOU），旨在进一步探讨合作方案。此次合作的目标是发展1.4~1纳米的下一代芯片设计的必要基础技术。
据了解，1纳米等级芯片在节能和运算效率上将比2纳米芯片高出10~20%，预计这种芯片将在2030年代普及。然而，要实现这一目标，需要发展出不同的晶体管结构。Leti在晶体管结构等领域拥有关键技术优势，因此双方将共同研发。LSTC预计将在试作品的评估与测试、人才派遣等方面提供协助。
Rapidus一直专注于2纳米及以下芯片的量产技术与生产机制。他们已在日本北海道千岁市开始兴建研发与生产工厂IIM-1，并计划在2025年4月在IIM-1工厂内引进2纳米芯片试作产线，2027年实现量产。此外，Rapidus还与IBM合作发展2纳米芯片的量产技术，并与比利时电子研究中心（Imec）合作学习极紫外光（EUV）曝光机的技术。
据悉，IBM正在考虑与Rapidus展开合作，以推动1纳米等级芯片技术的发展。Rapidus会长东哲郎在2023年多次表示，Rapidus有意开发1纳米等级或1.4纳米的芯片技术，强调在全球半导体开发竞争中要以最先进的等级为目标。
为支持Rapidus的发展，日本政府已经提供了高达3,300亿日圆（22亿美元）的补贴。目前，他们正在准备通过政府预算投入2023年度的新补贴，以进一步推动Rapidus的技术研发和产业合作。
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