作为全球第四大功率半导体领域的日本三菱电机（Mitsubishi Electric），近日在第三类半导体碳化矽（SiC）领域进行了三箭齐发的布局。据法新社报道，三菱电机的三大布局重点包括扩大自身、巩固料源以及签定出海口，这一系列举措堪称一气呵成。
首先，三菱电机在3月份进行了大笔投资，自力建设SiC晶圆产线，以提升自身在SiC领域的生产能力。这一步棋被视为三菱电机在SiC领域的开篇布局。
其次，10月份，三菱电机完成了对上游SiC硅片厂美国Coherent的入股，通过股权投资的方式进一步巩固了自身在SiC产业链上的地位。这一举措使得三菱电机能够更好地掌握SiC硅片的供应，从而保证其在SiC领域的稳定发展。
最后，11月份，三菱电机与安世半导体（Nexperia）签定了SiC金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）的供货合约。这一合作为三菱电机打开了SiC MOSFET芯片的供应渠道，同时也为安世半导体提供了有效的SiC分立元件开发途径。
此外，三菱电机还采取了一系列措施以筹建SiC功率半导体厂所需的资金，包括日前与安世建立战略性合作，提供后者SiC MOSFET芯片；同时，三菱电机也将发行绿色债券，以筹集资金。
在此之前，三菱电机还与日系车用一级供应商电装（Denso）共同投资10亿美元，取得了美国SiC基板厂Coherent的25%股权。此举主要是为了确保SiC料源的稳定供应。
10月底，三菱电机指出国际电工委员会（IEC）提议建立功率半导体通用标准。这一提议主要是因为随着再生能源及纯电动车的电力转换装置需求的日益增长，如果没有完善的国际标准，将存在不良流通的风险。
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