三星押注1c DRAM制程技术，欲在HBM4市场赶超SK海力士

据韩国媒体ZDNet Korea报道，三星正计划在韩国华城和平泽扩大1c DRAM（第六代10nm等级）制程技术的生产。相关投资预计将在年底前启动，这标志着三星正通过大规模投资缩小与当前市场龙头SK海力士的差距。
与竞争对手SK海力士和美光选择1b DRAM（第五代10nm等级）制程技术不同，三星大胆押注更先进的1c DRAM制程技术，显示出其对提升该技术良率的信心。此外，三星还计划在2025年底前将华城17号生产线从1z DRAM（第三代10nm等级）制程技术转为1c DRAM制程技术生产，以进一步扩大产能。
据韩国《朝鲜日报》报道，三星用于12层堆叠HBM4的关键组件——4nm制程逻辑芯片，在测试生产中已达成超过40%的良率。市场研究机构TrendForce预测，受强劲市场需求推动，2026年HBM总出货量将突破300亿GB，而新一代HBM4将在2026年下半年超越HBM3e，成为市场主流解决方案。
值得注意的是，三星2025年稍早在平泽第四园区（P4）启动了首条1c DRAM制程技术产线，目标月产能为3万片晶圆。若扩产顺利，月产能有望提升至4万片。

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