上汽英飞凌无锡产线扩建，功率半导体模块年产能将达420万片

近日，上汽英飞凌发布了关于无锡扩建功率半导体模块产线项目的环评公告。公告显示，此次扩建项目计划新增总投资3.1亿元人民币，选址位于无锡分公司。扩建完成后，该分公司将新增第二代框架式功率模块产品150万片产能，年总产能将从现有的260万片提升至420万片。
公开信息显示，上汽英飞凌成立于2018年3月，由上汽集团持股51%、英飞凌持股49%合资组建，总部设在上海。英飞凌无锡工厂的历史可以追溯到1995年，其前身为西门子半导体无锡工厂，专注于半导体后道封装测试、功率半导体（如IGBT模块）以及智能卡芯片的生产。
据无锡市人民政府消息，英飞凌无锡基地正在加速扩产，并引进全球最新的第三代功率半导体器件产品，目标是打造国内规模最大、技术水平国际领先的功率半导体器件生产基地。2025年1月，无锡高新区（新吴区）举行的一季度重大项目中提到，英飞凌功率半导体器件项目正在加紧建设，总投资达15.5亿元。
据悉，英飞凌于1995年在无锡设立工厂，2001年引入智能卡芯片生产线，为后续制造工艺奠定了基础。2013年，公司启动智能工厂建设，迈出了数字化转型的重要一步；2015年，英飞凌半导体（无锡）有限公司正式成立，进一步推动了本土智能制造的发展。

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