Polar授权瑞萨电子硅基氮化镓技术在美国生产

据日经、NHK等媒体报道，美国传感器与功率半导体制造商Polar Semiconductor与日本瑞萨电子达成战略合作协议，授权瑞萨使用其氮化镓覆硅基D模式（GaN-on-Si D-Mode）技术。双方将共同推动高电压650V等级GaN-on-Si半导体元件的商业化生产。
Polar位于美国明尼苏达州Bloomington的200mm（8寸）晶圆制造厂，已升级为符合车规级标准的先进工厂，配备了最新的制程与自动化设备。这一升级为满足下一代半导体需求奠定了基础。通过扩展至200mm晶圆尺寸，GaN技术在成本效率和创新架构方面的优势将得到进一步释放，从而加速市场采用。
瑞萨电子的电源产品事业群资深副总裁暨总经理Chris Allexandre表示，与Polar的合作不仅扩展了瑞萨成熟的GaN技术至200mm晶圆，还确保了产品在美国本土的生产能力，为客户提供更多元化的供应来源。Polar总裁暨营运长Surya Iyer则强调，Polar是美国唯一专注于传感器、电源与高电压半导体的本土独立晶圆代工厂，其制造能力将为关键国防计划提供支持。
此次合作的目标是将GaN元件的应用范围扩展至汽车、数据中心、消费性电子、工业应用、航太与国防等关键领域。同时，这项协议也符合美国当前推动半导体国内制造的政策趋势，确保尖端技术的稳定供应。
据报道，美国总统川普在2025年2月宣布对进口汽车征收25%关税的同时，还计划对半导体和医药品征收25%以上的关税，并在一年内进一步提高税率。此举意在推动全球企业将生产基地迁至美国，以规避关税。此外，在拜登政府任内，Polar曾于2024年5月获得约1.23亿美元的《芯片与科学法案》补助，用于明尼苏达州工厂的扩建，目标是在两年内实现产能翻倍。

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