俄罗斯工程师涉嫌窃取半导体技术助建28nm芯片厂被起诉

据外媒报道，43岁的俄罗斯工程师German A.因涉嫌向俄罗斯提供格罗方德（GF）、恩智浦和台积电等公司的敏感技术信息而被捕。他被指控协助俄罗斯建设28nm工艺芯片制造厂，并非法获利约4万欧元，目前面临18至32个月的监禁。案件正在审理中。
调查显示，German A.窃取了包括半导体生产手册和芯片制造设备相关文件在内的大量机密资料。这些资料虽然不包含完整的芯片厂设计蓝图，但涉及生产28nm工艺芯片的基础技术。他通过云存储和消息应用分享数据，并在莫斯科交付U盘。此外，他还试图获取化学气相沉积（CVD）设备，但设备在转运过程中未成功交付。
German A.曾在多家知名半导体公司和研究机构任职，包括比利时Imec研究中心、希腊NCSR、格罗方德德累斯顿工厂Fab 1以及荷兰光刻技术初创公司Mapper。Mapper曾获得俄罗斯国家控股的Rusnano投资，并在俄罗斯建立MEMS制造设施。2018年Mapper破产后，German A.被ASML吸收，参与电光组件生产设备的操作。
2020年底，他在ASML工作期间访问了大量受限文件，但当时未触发安全警报。离开ASML后，他通过招聘机构寻找职位未果，随后加入恩智浦担任临时工艺技术员。在此期间，他试图购买二手化学气相沉积设备，并将目的地从德国改为以色列，但设备最终未交付。
据调查，German A.在2023年与俄罗斯研究人员联系，讨论建设28nm芯片工厂的计划。当时，俄罗斯实体因被列入黑名单，无法从主要供应商处获取先进芯片。此外，他在代尔夫特理工大学任职期间未发现盗窃行为。
事件曝光后，恩智浦等公司加强了内部数字防御措施，限制部门间文件访问并监控员工异常行为，以防止类似事件再次发生。

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