北京科技大学在芯片领域取得多项突破

北京科技大学近期举行了未来技术学院、前沿交叉科学技术研究院及未来芯片关键材料与技术集成创新中心的揭牌仪式。这三家机构将致力于推进人才培养、科学研究和平台建设一体化发展模式，旨在打造世界一流的前沿交叉科学研究平台和领军人才培养基地，抢占未来科技战略制高点。
据资料显示，近年来北京科技大学在芯片领域屡获突破。今年年初，张跃院士与张铮教授团队在《Nature Materials》期刊发表重要研究成果。团队提出了一种名为“二维Czochralski（2DCZ）”的方法，能够在常压下快速生长出厘米级、无晶界的单晶MoS2晶畴。这些单晶MoS2展现出卓越的均匀性和高质量，缺陷密度极低，为下一代集成电路制造提供了重要材料基础。相关成果以“Two-dimensional Czochralski growth of single-crystal MoS2”为题于2025年1月10日发表，第一作者为姜鹤博士。
此外，去年7月，北京科技大学与新紫光集团签署战略合作协议。双方将围绕先进制程集成电路的前瞻技术和关键核心技术研究展开合作，共同建设“二维材料与器件集成技术联合研发中心”和“8英寸二维半导体晶圆制造与集成创新中心”等高水平研发平台，重点突破二维半导体材料制备、关键装备研发及集成制造工艺技术等难题，推动产学研深度融合。

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