近日,稷以科技发布了一款自主研发的12寸IC前段工艺设备——JETKepler。这款设备主要用于晶圆刻蚀及高温等离子表面氧化、氮化处理,适用于300mm IC制造领域。
据官方资料显示,JETKepler具备多项运行特点。首先,该设备支持各向同性表面处理,包括氧化、氮化、还原、薄膜密度提升、刻蚀残留去除以及降低IC电阻等功能。其次,JETKepler拥有极佳的台阶覆盖率和温度均匀性,确保工艺的高精度与一致性。此外,其高密度低损伤等离子系统能够在保证效率的同时减少对材料的损害。设备还具备高产能和更长的平均保养周期(MTBC),从而降低整体拥有和运营成本(CoO/CoC)。
从技术参数来看,JETKepler支持12英寸晶圆处理,可应用于多种基底薄膜,如硅(Si)、氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)、氮化钛(TiN)和钨(W)等。其主要应用领域涵盖DRAM、NAND以及逻辑IC的氧化、氮化和还原工艺。
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