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长鑫存储加速DRAM制程开发

来源：责编：时间：2025-02-14 12:09:12 166观看

导读据韩媒报道，长鑫存储（CXMT）已量产基于16nm制程的DDR5内存芯片，良率达80%左右，产品定名为“G4”。与上一代18nm的G3相比，G4的DRAM单元尺寸缩小了20%。此外，长鑫存储正在研发15nm的下一代DRAM制程技术，即G5，预计2025年底开发完成

据韩媒报道，长鑫存储（CXMT）已量产基于16nm制程的DDR5内存芯片，良率达80%左右，产品定名为“G4”。与上一代18nm的G3相比，G4的DRAM单元尺寸缩小了20%。

此外，长鑫存储正在研发15nm的下一代DRAM制程技术，即G5，预计2025年底开发完成，最快2026年下半年商业化。

长鑫存储此前主要生产DDR4、LPDDR4X等较成熟产品，2024年11月首次发布了LPDDR5产品，2025年初成功实现DDR5商业化。长鑫存储一直在同时开发17nm和16nm制程技术，最终选择更先进的16nm制程技术用于首款商用DDR5产品。

虽然长鑫存储原计划使用EUV设备开发15nm制程技术，但受美国出口限制影响，只能利用现有设备开发和量产下一代制程。

尽管如此，长鑫存储仍积极推行制程优化和先进制程设备的国产化，以期望突破技术瓶颈。目前，三星电子和SK海力士已开发出15nm和12nm DRAM制程技术，但中国技术进步迅速，差距正在逐渐缩小。

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