三星电子(Samsung Electronics)等主要存储器业者,为应对低迷景气,2023年以来积极实施存储器减产措施。不过据传三星在DRAM领域已逐渐恢复生产,NAND Flash则在维持减产基调的同时,以改善高端产品良率为目标。
根据韩媒Alphabiz报导,三星自2023年9月初已恢复16纳米(1z)DRAM生产,稼动率达100%,传将以16纳米DRAM出发,快速减少其他半导体产品的减产规模。
知悉三星的业界相关人士表示,三星认为半导体景气已经触底,因此以16纳米DRAM恢复正常生产为起点,估计未来2~3个月内将采取半导体产能恢复措施。对此三星表示,相关消息无法确认,减产中断和产量恢复相关问题,可在下次财报发布会议中正式确认。
三星曾于2023年第2季财报发布会议中预告,2023年下半将以NAND为中心扩大减产。即便上述DRAM恢复生产消息属实,因NAND需求相较DRAM更加不振,估计不会那么快调整减产策略。韩媒ZD Net Korea便指出,三星在积极减产NAND的同时,将目标放在改善高端产品良率。
三星电子自2023年11月开始量产八代V-NAND,但据悉量产初期良率并不理想,2023年上半低于50%,目前则上升至60%左右。业界相关人士表示,三星八代V-NAND良率每个月皆持续上升,虽然尚未步入正常水准80~90%,但改善速度相当快。
责任编辑:张兴民
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