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国产光刻胶通过量产验证:极限分辨率达120nm

来源: 责编: 时间:2024-10-16 07:32:43 33观看
导读 今天,中国光谷官方公众号宣布,光谷企业在半导体专用光刻胶领域实现了巨大突破。根据官方介绍,武汉太紫微光电科技有限公司推出的T150 A光刻胶产品,已通过半导体工艺量产验证,实现配方全自主设计,有望开创国内半导体光刻制

今天,中国光谷官方公众号宣布,光谷企业在半导体专用光刻胶领域实现了巨大突破。ObK28资讯网——每日最新资讯28at.com

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根据官方介绍,武汉太紫微光电科技有限公司推出的T150 A光刻胶产品,已通过半导体工艺量产验证,实现配方全自主设计,有望开创国内半导体光刻制造新局面。ObK28资讯网——每日最新资讯28at.com

据悉,T150 A对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列,在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm,且工艺宽容度更大,稳定性更高,坚膜后烘留膜率优秀,其对后道刻蚀工艺表现更为友好。ObK28资讯网——每日最新资讯28at.com

此外,通过验证发现,T150 A中密集图形经过刻蚀,下层介质的侧壁垂直度表现优异。ObK28资讯网——每日最新资讯28at.com

对此,太紫微公司企业负责人、英国皇家化学会会员、华中科技大学教授朱明强表示:ObK28资讯网——每日最新资讯28at.com

“以原材料的开发为起点,最终获得具有自主知识产权的配方技术,这只是个开始,我们团队还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶,为国内相关产业带来更多惊喜。”ObK28资讯网——每日最新资讯28at.com

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