近期，新华社发布了一则关于我国半导体材料技术取得重大突破的报道。据悉，以碳化硅（SiC）为核心的第三代半导体材料，正逐步成为推动我国制造业转型升级的重要驱动力。
中国科学院微电子研究所传来振奋人心的消息，我国首款自主研发的碳化硅（SiC）功率器件在太空成功完成了验证。这一里程碑式的成果，预示着第三代半导体材料有望引领我国航天电源系统的全面升级。
回顾2024年11月15日，由中科院微电子所刘新宇、汤益丹团队与中科院空间应用工程与技术中心刘彦民团队携手打造的碳化硅（SiC）载荷系统，搭乘天舟八号货运飞船顺利进入太空，开启了其空间站轨道的科学试验之旅。
刘新宇介绍称，此次太空之旅的主要任务是验证国产自研的高压抗辐射碳化硅（SiC）功率器件。该器件不仅要在航天电源中进行应用验证，还需进行综合辐射效应等科学研究。这一系列试验旨在逐步提升我国航天数字电源的功率水平，为未来实现单电源模块千瓦级输出奠定坚实基础。
经过一个多月紧张而细致的在轨加电试验，碳化硅（SiC）载荷系统传来捷报。测试数据显示，高压400V的碳化硅（SiC）功率器件在轨试验与应用验证均取得了圆满成功。在电源系统中，无论是静态还是动态参数，均达到了预期目标。
业内专家对此给予了高度评价。他们认为，我国在太空成功验证由第三代半导体材料制造的功率器件，标志着在空间载荷需求以“克”为计量的极端条件下，碳化硅（SiC）功率器件有望引领空间电源系统迈向全新时代。这一技术突破，无疑将为我国未来的探月工程、载人登月以及深空探测等航天任务提供新一代高性能功率器件。
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