近日，有消息人士对外透露，三星电子已经成功获得英伟达对其最新一代高带宽存储芯片的供应授权，该芯片属于三星电子的第五代HBM3E系列的一个特定版本。
据了解，三星电子的这款8层HBM3E芯片（属于HBM3E系列中的基础型号）在去年的12月份就已经通过了英伟达的审核。然而，对于这一消息，三星和英伟达双方均未发表任何评论。
HBM（High Bandwidth Memory），即高带宽内存，是一种专门设计用于满足高性能计算需求的内存标准。相较于传统的内存技术，HBM能够提供更高的数据传输速度和更低的延迟，因此在高性能计算领域具有显著优势。
而HBM3E则是HBM技术的最新标准，它能够满足如人工智能、机器学习等前沿技术领域对于大数据处理能力的极高要求。这些领域的发展对于计算能力和内存带宽的需求日益增长，而HBM3E正是为此而生。
作为全球领先的AI和深度学习技术供应商，英伟达与三星电子的此次合作无疑将进一步提升双方的技术实力和市场竞争力。通过英伟达的计算平台与三星电子的存储技术的结合，双方有望共同打破计算能力的瓶颈，推动AI技术的快速发展。
此次合作对于三星电子来说，无疑是一个重要的市场机遇。据市场研究显示，全球人工智能芯片市场在未来几年内将以年均超过20%的速度增长。英伟达对三星电子HBM3E芯片的认可，将为三星电子打开更加广阔的市场空间，使其在高性能计算市场中占据更加重要的地位。
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