近期，三安半导体发布消息称，公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET外，三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。三安半导体表示，展会上有多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后，表示已经确认采购意向。
图：三安半导体
湖南三安半导体属于三安光电下属子公司，主要业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务，目前建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安光电在SiC领域布局的重点项目。
从产能来看，湖南三安现有SiC产能15,000片/月，较2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化镓）产能2,000片/月。其6英寸碳化硅衬底已通过数家国际大客户验证，并实现批量出货，且2023年、2024年供应已基本锁定。此外，三安已签署的碳化硅MOSFET长期采购协议总金额超70亿元，另有几家新能源汽车客户的合作意向在跟进。
值得注意的是，湖南三安与理想合资成立的规划年产240万只碳化硅半桥功率模块苏州斯科半导体，已完成动力设备安装、调试，待产线通线后进入试生产。
今年6月，三安光电宣布与意法半导体在重庆成立合资公司，双方将携手新建一座8英寸碳化硅器件制造厂。据悉，该工厂全部建设总额预计约达32亿美元，计划于2025年第四季度开始生产，2028年全面建厂，将采用ST的碳化硅专利制造工艺技术生产碳化硅器件，湖南三安持股比例为51%，意法半导体持股比例为49%。
化合物半导体市场对国内主流SiC企业的8英寸衬底进度进行了统计，除了三安光电之外，目前国内在研发8英寸衬底的企业及机构还有烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、中科院物理所、山东大学、天科合达、科友半导体、乾晶半导体等。其中烁科晶体、天科合达以及晶盛机电相对来说进度比较快。
衬底之外，外延企业也在加速建设8英寸产能，东莞天域计划购置94.7 亩地用于建设SiC外延材料研发及产业化，用于SiC外延关键技术的研发及全球首条8英寸SiC外延晶片生产线的建设。此外，瀚天天成位于同翔高新城的SiC产业园的三期项目也极有可能是定位8英寸SiC外延，这两家企业目前都在IPO阶段。
总体而言，随着三安光电8英寸衬底的发布，SiC市场会越来越热闹，竞争也会越来越激烈，从长期来看，这有助于产业整体的发展，至于最后哪些企业能够突围而出，这个只能骑驴看唱本。
封面图片来源：拍信网
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