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ASML 依计划年底推出首款High NA EUV 微影曝光设备

来源：责编：时间：2023-09-07 10:56:40 199观看

导读荷兰半导体设备制造商艾司摩尔(ASML) 执行长Peter Wennink 表示，尽管有些供应商阻碍，但年底将照计画，推出下一世代产品线首款产品。图片来源：pixabay高数值孔径(High NA) EUV 微

荷兰半导体设备制造商艾司摩尔(ASML) 执行长Peter Wennink 表示，尽管有些供应商阻碍，但年底将照计画，推出下一世代产品线首款产品。

图片来源：pixabay

高数值孔径(High NA) EUV 微影曝光设备只有卡车大小，但每台成本超过3 亿欧元(约新台币102 亿元)。与相机一样，高数值孔径(High NA) EUV 微影曝光设备将从更宽角度收集光线，解析度提高70%。对领先半导体制造商生产先进半导体晶片是不可或缺的设备，十年内生产面积更小、性能更好的晶片。

ASML 是欧洲最大半导体设备商，主导微影曝光设备市场，微影曝光设备是半导体制造关键步骤，但高数值孔径(High NA) EUV，Peter Wennink 指有些供应商提高产能及提供适当技术遇到困难，导致延误。但即便如此，第一批产品仍会在年底推出。

市场只有台积电、英特尔、三星、SK 海力士和美光使用ASML 产品。目前EUV 微影曝光设备每套价格超过2 亿美元(约新台币64 亿元)。美国压力下，荷兰政府不发给ASML 出口中国晶片制造商EUV 微影曝光设备许可证，使中国推动先进半体制程面临瓶颈。

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