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新一轮DRAM采购潮来了

来源：责编：时间：2023-09-04 10:17:21 197观看

导读来源：内容来自经济日报，谢谢。英特尔新一代消费型笔电平台「Meteor Lake」预计第4季问世，搭载的DRAM由目前主流DDR4升级为DDR5。业界看好，英特尔新平台宣告DDR5时代来临，新一波DRAM采购潮蓄势待发，有望扮演扭转存储器市况长

来源：内容来自经济日报，谢谢。

英特尔新一代消费型笔电平台「Meteor Lake」预计第4季问世，搭载的DRAM由目前主流DDR4升级为DDR5。业界看好，英特尔新平台宣告DDR5时代来临，新一波DRAM采购潮蓄势待发，有望扮演扭转存储器市况长期低迷的救世主，南亚科（2408）、威刚、十铨、宜鼎等台湾DRAM相关族群吃补。

目前全球DRAM三大巨头：三星、美光及SK海力士都已着手在第4季全面开始拉高DDR5产能，逐步取代目前主流DDR4，迎接即将到来的DDR5商机。

其中，三星规划量产12纳米制程的32Gb DDR5，在相同的封装尺寸上，容量可望翻倍，代表未来同一条DRAM模块上，可搭载的容量有望大幅看增。美光则预计在明年上半年冲刺1β制程的32Gb单片DRAM芯片，使未来128Gb规格的DRAM模块将可望顺利问世。SK海力士则将以1β制程的DDR5冲刺市场。

台湾DRAM族群也积极投入DDR5，芯片方面，以南亚科最受瞩目。南亚科规划，旗下1B制程将锁定推出8Gb DDR5及LP DDR4 DRAM，前者预估明年中开始生产，主要供应服务器市场。由于新产品毛利较高，营运将有望明显回升。

存储器模块厂亦有望抢食DDR5大饼，威刚、十铨明年起DDR5 DRAM模块出货动能有机会全面攀升，使营运重回成长轨道。另外，在AI浪潮推进下，工控市场亦有望出现DDR5商机，目前工控存储器模块厂宜鼎已经推出DDR5模块新产品，准备好大举进军DDR5市场。

业界人士分析，英特尔「Meteor Lake」平台在DRAM规格上将全面支援DDR5，代表未来AI运算资料量大增下，更高传输速度及更高容量搭载量的DDR5 DRAM将可望全面成为PC、笔电及服务器的新主流。

南亚科、威刚等DRAM族群迎来新契机之际，也为电源管理IC厂茂达、连接器业者优群，以及PCB厂定颖等DDR5供应链带来新商机。

法人指出，茂达目前已打入全球存储器模块龙头金士顿供应链，未来英特尔新平台仅支援DDR5效应下，茂达出货动能有望开始明显攀升，致新、力智等IC设计厂亦有望跟进这波商机。

另外，DDR5采用的连接器缺口位置全面更改，模块插座形状亦须同步改变，连接器大厂优群在与半导体固态技术协会、英特尔等共同开发DDR5连接器规格后，确立优群取得DDR5市场门票，后续将有机会通吃PC、服务器等DDR5市场大单。

2024 年DRAM、NAND Flash 需求位元年增13% 及16%

TrendForce 表示，2024 年记忆体原厂对DRAM 与NAND Flash 的减产策略延续，尤其以亏损严重的NAND Flash 更明确。2024 上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗，加上通用型伺服器资本支出仍受AI 伺服器排挤显得相对需求疲弱，有鉴于2023 年基期已低，加上部分记忆体产品价格到相对低点，DRAM 及NAND Flash 需求位元年成长率分别为13.0% 及16.0%。尽管需求位元回升，明年若要有效去化库存，并回到供需平衡状态，重点还是仰赖供应商产能节制，若供应商产能控制得宜，记忆体均价有机会反弹。

各类应用分析，PC方面，PC DRAM平均搭载容量年成长率约12.4%，主要是2024年随着搭载英特尔新CPU Meteor Lake机种量产，基于该平台仅支援DDR5与LPDDR5，促使DDR5在2024下半年超越DDR4成为主流。PC消费级SSD成长则不若PC DRAM，平均搭载容量年成长率预估仅约8%~10%。多数消费者使用习惯逐渐转向云端，对大容量储存空间笔电需求渐少，即便1TB机种增加，512GB机种仍是主流。由于原厂大幅减产维稳价格，一旦价格触底反弹，PC OEM后续将迎接SSD成本上升，加上Windows作业系统1TB以上容量提高授权金夹击，均不利后续容量成长。

伺服器方面，伺服器DRAM平均搭载容量年成长率可达17.3%，主要受惠于伺服器平台进入世代转换、CSP部分业务对于CPU核心匹配RAM的仰赖度提升，以及AI伺服器算力负载量需求高等原因。企业级SSD平搭载容量年成长率预估约14.7%，以CSP来看，随着支援PCIe 5.0的处理器平台出货放量，OEM库存有望明年初回归正常，后续提高8TB产品采购。至于伺服器品牌端，受惠NAND Flash价格大幅滑落，将持续推升16TB的搭载量，AI伺服器帮助不大。

智能手机方面，受全球经济疲软影响，2024年生产量年成长率仅约2.2%，TrendForce认为是拖累需求位元成长的主因。受惠连续数季的记忆体价格下滑，开启品牌硬体竞赛，预估今年智能手机平均搭载容量年增约14.3%， 2024年行动端DRAM平均销售单价仍相对低点，将延续态势，全年单机搭载容量有机会再成长7.9%。

UFS及eMMC方面，影像储存需求、5G渗透率提高等，均会带动智能手机平均搭载容量提升，但原厂减产以酝酿涨价，智能手机OEM成本控管会更谨慎，2024年中低阶机种1TB以上规划可能减少；另一方面，QLC产品尚未获智能手机OEM青睐，也不利原厂以低成本产品引导客户升级容量。2024年随着智能手机容量基期越来越高，加上苹果（Apple）暂无规划高于1TB容量的iPhone，TrendForce预估，智能手机平均储存容量年成长率约13.0%。

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