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三星购买爱思强MOCVD设备用于氮化镓、碳化硅生产

来源: 责编: 时间:2023-08-14 22:01:39 201观看
导读据电子时报报道,三星电子及其国内晶圆代工厂同行DB Hitek(东部高科)和Key Foundry(启方半导体)将从德国Aixtron(爱思强)采购金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,以进军GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)芯片制造服务市场。ZDNet Korea日前援引

据电子时报报道,三星电子及其国内晶圆代工厂同行DB Hitek(东部高科)和Key Foundry(启方半导体)将从德国Aixtron(爱思强)采购金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,以进军GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)芯片制造服务市场。0vI28资讯网——每日最新资讯28at.com


ZDNet Korea日前援引业内人士消息称,爱思强CEO Felix Grawert于今年7月中旬低调访问韩国,并与三大代工厂举行会议,讨论设备供应协议相关事宜。三者均计划进军GaN和SiC代工市场。其中,消息人士透露,三星已决定购买Aixtron最新的MOCVD设备,用于加工GaN和SiC晶圆,投资规模预计至少达到7000亿-8000亿韩元(5.4亿-6.2亿美元)。0vI28资讯网——每日最新资讯28at.com


MOCVD设备是生产GaN芯片的核心设备之一。目前,只有少数公司在技术上有能力生产此类设备,其中爱思强是最大的供应商,占据全球市场75%的份额,其次是美国Veeco(维易科),份额为10%-15%。与传统的硅半导体相比,GaN具有更高的耐高温和耐电压能力以及更高的能源效率。预计未来IT、通信和汽车应用领域的GaN需求将快速增长。0vI28资讯网——每日最新资讯28at.com


业内人士表示,三星、DB Hitek和Key Foundry预计在2025年至2026年将8英寸GaN代工服务商业化。他们现在正处于研究和样品生产阶段,只需要少量设备。然而,他们必须根据未来的量产计划进行大量的设备投资。业内人士指出,2023年初,三星投资约1000亿-2000亿韩元购买8英寸GaN和SiC制造设备,但仅GaN生产的总投资预计将达到1万亿韩元的规模。0vI28资讯网——每日最新资讯28at.com


目前,GaN和SiC代工厂严重依赖爱思强设备的支持。尽管MOCVD机台单价高达200亿韩元,但韩国半导体代工厂仍在积极进行该领域的投资。0vI28资讯网——每日最新资讯28at.com


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