为了进一步加强在人工智能（AI）手机领域的布局，三星电子有望在2024年春季旗舰机Galaxy S24上首次搭载低延迟带宽（Low Latency Wide IO；LLW）DRAM。消息透露，LLW DRAM将于2024年量产，预计三星Galaxy S24计划于同年第1季上市，因此有可能成为首款搭载这一创新技术的手机。
LLW DRAM采用增加输入/输出（I/O）端口数量的方式，提升了数据处理能力，相较于传统移动产品，其数据处理能力更为出色。此外，与一般DRAM相比，LLW DRAM电源使用效率提高了70%，使其成为智能终端（On-Device AI）技术的理想选择。智能终端技术允许在终端设备上直接处理AI算法，实现更高效的AI功能，同时有助于确保手机等设备中的通话数据等个人资料的安全性。
在此之前，三星曾在2023年10月的Samsung Memory Tech Day 2023上提到LLW DRAM，并于2023年11月底透过社交媒体发布了LLW DRAM的介绍视频，暗示其将在延展实境（XR）、手机、游戏、电脑等多个产品领域得到应用。
虽然三星尚未正式公布LLW DRAM的搭载时机，但当前情况显示，三星有望在Galaxy S24上率先采用这一先进的技术。事实上，三星在2023年第3季度财报电话会议上透露，将在2024年开始在Galaxy手机上引入智能终端技术。而在同年11月，三星发布了生成式AI模型三星高斯（Samsung Gauss），并宣布未来的AI手机将以智能终端技术为基础，支持实时翻译通话等创新功能。
此外，最近三星还在欧盟智能财产局（EUIPO）、英国智能产权局（IPO）等机构完成了AI Smartphone、AI Phone的商标注册程序。预计三星将在2024年1月17日的Galaxy Unpack活动上正式发布Galaxy S24系列，届时还将一同推出Galaxy Book 4系列。这一系列动作显示出三星在AI手机领域的积极探索和创新努力。
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