长鑫存储在国内率先推出面向手机领域的LPDDR5存储器，这一突破被视为在缩小与对手差距方面取得关键进展。然而，面对美国对国内芯片与设备出口的压制力道不断升高，国内自主半导体产业的发展仍面临挑战。
长鑫存储在良率、价格和品质上仍面临一场艰苦战斗。尽管如此，长鑫存储的这一突破正值国内在半导体开发和制造技术方面持续取得缓慢但稳定进展之际。华为自研的Mate 60 Pro移动处理器采7纳米制程、由中芯国际量产，这一成就令全球震惊。尽管NVIDIA CEO黄仁勳对华为的7纳米芯片提出质疑，但这一进展仍表明国内在半导体领域的实力正在不断增强。
在长鑫存储发布LPDDR5的前一天，龙芯中科在北京举行的“2023龙芯产品发布暨用户大会”上，正式发表了基于龙芯自主“龙架构”（LoongArch）的新一代3A6000自制桌上型电脑处理器。这款处理器采用14/12纳米制程，是完全自主设计的产品。龙芯在发表会上将3A6000与英特尔（Intel）第10代处理器和超微（AMD）Zen 3 CPU进行了比较。
尽管长鑫存储没有透露用于制造其自研LPDDR5 DRAM的制程技术，但市场研究机构Counterpoint Research表示，长鑫存储要在价格和品质上与韩国DRAM制造商相比，竞争力方面会面临一场艰苦战斗。该机构还推估用于生产存储器的制程技术可能不会太先进，以能保持在美国设定的红线以内。
三星于2018年推出业界首款8Gb LPDDR5芯片，随后在2021年升级至基于14纳米节点的16Gb LPDDR5X芯片；SK海力士（SK Hynix）于2021年3月开始量产LPDDR5移动DRAM；美光则于2020年初宣布推出LPDDR5芯片。这些国际大厂早已布局LPDDR5技术，并持续升级至最新的存储器技术，这对长鑫存储来说无疑是一个巨大的挑战。
然而，长鑫存储的突破仍值得肯定。尽管面临来自美国的压力和挑战，但长鑫存储在自主研发和科技创新方面的努力是值得赞扬的。同时，随着国内半导体产业的不断发展，我们期待看到更多这样的突破，为全球半导体市场带来新的变化和机遇。
本文链接：http://www.28at.com/showinfo-27-35779-0.html国内半导体突破，美国制裁影响待观察
声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com
上一篇： 博通：VMware裁员进行时
Copyright © 2016-2023 天津谷骐科技有限公司 版权所有 sitemap.xml
违法及侵权请联系：2376512515@qq.com 津ICP备18001702号
津公网安备 12010102000574号
