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瑶光半导体：SiC激光退火设备通过验收

来源：责编：时间：2023-11-28 17:12:13 180观看

导读ictimes消息，近期，瑶光半导体喜报频传，其自主研发的SiC/Si基激光退火设备成功通过验收，并已投入客户新产线的生产使用。这一设备广泛应用于硅基IGBT离子掺杂激活和碳化硅背面电极镀膜退火等多个工艺。据了解，该产线计划年

ictimes消息，近期，瑶光半导体喜报频传，其自主研发的SiC/Si基激光退火设备成功通过验收，并已投入客户新产线的生产使用。这一设备广泛应用于硅基IGBT离子掺杂激活和碳化硅背面电极镀膜退火等多个工艺。

据了解，该产线计划年产一亿颗功率芯片和1万片6英寸SiC外延片，涵盖“10万片SiC外延片及JBS、MOSFET功率集成电路”。瑶光半导体的激光退火设备以微秒级的控制系统、晶圆厚度测量功能以及卓越的光学整形装置著称，为晶圆的退火工艺提供高效解决方案。

作为浙江工业大学莫干山研究院今年引进的重点项目，瑶光半导体致力于第三代宽禁带半导体制程设备的研发、生产和销售。公司已成功完成闭环温度控制系统，并拥有功率芯片背面激光退火方法、SiC外延生长方案、惰性气体屏障技术等多项专有技术。

除了SiC激光退火设备，瑶光半导体旗下设备“星型SiC MOCVD”（ES600)预计将于今年四季度完成研发。SiC晶圆激光退火技术（LSA）以其升温迅速、控制灵敏、热传导深度浅、连续能量输出稳定等特点逐渐成为新一代主流退火技术。随着市场对SiC等功率半导体的技术升级和需求增长，瑶光半导体积极引领行业创新，不断扩大市场份额。

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