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中国在ISSCC论文数量连续两年领先

来源: 责编: 时间:2023-11-28 09:33:09 195观看
导读中国的研究人员在国际固态电路研讨会(ISSCC)上的表现再次引人注目。据最新公布的数据,中国提交的论文数量在ISSCC 2024上大幅增加,连续两年位居全球第一。同时,韩国三星电子也在企业排名中拔得头筹。ISSCC被视为电子设计领

中国的研究人员在国际固态电路研讨会(ISSCC)上的表现再次引人注目。据最新公布的数据,中国提交的论文数量在ISSCC 2024上大幅增加,连续两年位居全球第一。同时,韩国三星电子也在企业排名中拔得头筹。qMD28资讯网——每日最新资讯28at.com


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ISSCC被视为电子设计领域的顶级盛会,每年都会吸引全球的研究人员和企业展示他们的最新成果。今年的会议将于2024年2月举行,共收到了873篇论文,比去年增加了42篇,打破了以往的所有记录。qMD28资讯网——每日最新资讯28at.com


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在这些论文中,中国的表现尤为突出,共有69篇论文被ISSCC收录,这是连续两年超过美国,成为全球论文收录数量最多的国家。相比之下,美国此次有49篇论文被收录。qMD28资讯网——每日最新资讯28at.com


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中国的这一成就离不开其不断扩大的集成电路(IC)设计研究基础。近年来,中国政府在科技领域投入了大量资源,鼓励并支持各大高校、科研机构以及企业在芯片技术方面进行深入研究和开发。qMD28资讯网——每日最新资讯28at.com


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首尔大学电机电子通讯工学系的教授崔在赫指出,中国不仅在论文数量上有所增加,论文的质量也有了明显的提升。他认为,这一趋势预示着中国在IC设计领域的实力正在不断增强。qMD28资讯网——每日最新资讯28at.com


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在企业方面,韩国三星电子共提交了14篇与存储器及先进制程相关的论文,这是连续两年在全球企业排名中夺冠。紧随其后的是SK海力士和台积电。qMD28资讯网——每日最新资讯28at.com


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值得注意的是,三星和SK海力士在存储器领域的实力仍然不容小觑。这两家公司在存储器领域的论文数量达到了28篇,占比高达32%。qMD28资讯网——每日最新资讯28at.com


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三星预计将抢先业界发表37Gbps速度的DRAM技术、第9代280层1TB NAND Flash,以及32Gb DDR5 DRAM。而作为高带宽存储器(HBM)市场占有率第一的SK海力士,则计划在ISSCC上公开16层堆叠的48GB HBM3E技术。qMD28资讯网——每日最新资讯28at.com


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这些领先的科技企业不仅展示了他们在技术研发方面的实力,同时也彰显了他们在全球半导体市场中的主导地位。这些公司的研究成果不仅将推动半导体行业的发展,也将对未来的科技产生深远影响。qMD28资讯网——每日最新资讯28at.com


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