ictimes消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司成功获授权了一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，该专利的授权公告日为11月17日，授权公告号为CN113921595B。专利摘要揭示了一种创新的半导体结构及其形成方法，为半导体领域带来了新的技术突破。
该半导体结构包括多个关键组成部分，首先是掺杂有第一离子的衬底，为整个结构奠定了基础。在衬底内，深沟结构的存在进一步丰富了半导体的形态，为电子元件的性能提供了更多可能。在衬底和深沟结构的顶部，阻挡掺杂区的设置有助于调控电子流的传输，提高了半导体器件的整体效能。
值得注意的是，半导体结构中还涉及到第一外延层、体区、源区以及栅极结构等关键元素。这些组件的有机结合使得半导体器件在性能和功能上都取得了显著的提升。特别是，栅极结构的巧妙设计，使其既能与深沟结构相邻，又能与体区和源区表面相互接触，为电子元件的精密控制提供了更多可能性。
专利摘要中还提到了集电区，其位于衬底底部，与深沟结构的底部之间被衬底间隔。这一设计考虑到了电子元件的整体结构，通过巧妙的排列，进一步提升了半导体器件的隔离性能和稳定性。
总体而言，通过这项半导体结构及其形成方法的专利，上海华虹宏力半导体制造有限公司在绝缘栅双极型晶体管的性能上取得了显著的突破。这一创新将有望推动半导体行业的发展，并为未来的电子器件提供更为高效和可靠的解决方案。
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