Rapidus宣布携手东京大学和法国Leti研发1nm技术

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11月17日消息，据日经新闻报道，目标在2027年量产2nm芯片的日本晶圆代工厂商——Rapidus近日又宣布携手东京大学和法国半导体研究机构Leti研发1nm等级芯片设计的基础技术。qK528资讯网——每日最新资讯28at.com

据了解，三方并将在2024年正式展开人才交流、技术共享，目标是运用Leti的半导体元件技术，建构提升自动驾驶、人工智能（AI）不可或缺的1nm芯片产品供应机制。qK528资讯网——每日最新资讯28at.com

今年10月，Rapidus、东大等日本国立大学以及理化学研究所参与的研究机构“最先进半导体技术中心（LSTC）”已经和Leti签订了考虑合作的备忘录。LSTC和Leti的目标是确立1.4nm-1nm芯片研发所必要的基础技术。qK528资讯网——每日最新资讯28at.com

报道指出，在2nm芯片的量产上，Rapidus正和美国IBM、比利时半导体研发机构imec合作，且也考虑在1nm等级产品上和IBM进行合作。预计在2030年代以后普及的1nm产品运算性能将较2nm提高10%-20%。qK528资讯网——每日最新资讯28at.com

资料显示，Rapidus于2022年8月成立，由丰田、Sony、NTT、NEC、软银(Softbank)、电装（Denso）、NAND Flash大厂铠侠(Kioxia)、三菱UFJ等8家日企共同出资设立，出资额各为73亿日圆，且日本政府也将提供700亿日圆补助金、作为其研发预算。目标是在5年后的2027年开始量产2nm先进制程芯片。Rapidus计划国产化的对象为使用于自动驾驶、人工智能(AI)等用途的先进逻辑芯片。qK528资讯网——每日最新资讯28at.com

今年2月底，Rapidus宣布将在日本北部岛屿北海道的千岁市建造一座2nm晶圆代工厂。Rapidus将基于IBM的2nm制程技术，研发“Rapidus版”制造技术，计划2027年量产。而“Rapidus版”制造技术将会聚焦“高性能计算（HPC）”和“超低功耗（Ultra Low Power）”两大方向。市场消息表示，Rapidus北海道2nm产线将分为三个或四个阶段，称为创新整合制造 (IIM)。IIM-1 阶段将制造 2nm芯片，IIM-2 处理比2nm更先进制程。qK528资讯网——每日最新资讯28at.com

今年9月初，Rapidus 2nm晶圆厂已经正式动工建设，目标是在 2025 年之前将其 2nm 晶圆厂建成并试生产，随后在2027年量产2nm芯片。届时，日本有望成为继美国、中国台湾、韩国、爱尔兰之后，成为全球第5个拥有导入EUV的芯片量产产线的地区。qK528资讯网——每日最新资讯28at.com

编辑：芯智讯-林子qK528资讯网——每日最新资讯28at.com

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