ictimes消息，三菱电机集团于2023年11月13日宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开拓电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体领域。此次合作中，三菱电机将运用其宽禁带半导体技术协助Nexperia开发和供应SiC MOSFET芯片，以推动SiC分立器件的创新发展。
全球电动汽车市场的不断扩大，预示着SiC功率半导体将迎来指数级增长。相比传统的硅功率半导体，SiC功率半导体具有更低的损耗、更高的工作温度和更快的开关速度，其高效率有望为全球脱碳和绿色转型产生积极影响。
三菱电机在高速列车、高压工业应用和家用电器等领域处于领先地位，自2010年以来一直致力于开发和制造SiC功率半导体。该公司成功推出用于空调的SiC功率模块，并在2015年成为新干线子弹头列车全SiC功率模块的首家供应商。凭借丰富的专业技术和卓越的性能表现，三菱电机的SiC功率模块在市场上具有高度可靠性。
三菱电机期待能进一步深化与Nexperia的合作伙伴关系。Nexperia在各种分立器件的设计、制造、品质保证和供应方面拥有丰富的经验，其器件广泛应用于汽车、工业、移动和消费市场，为推动低碳和可持续发展做出贡献。三菱电机将继续致力于提高其SiC芯片的性能和质量，并专注于功率模块的开发与创新。
Nexperia双极性分立器件事业部高级副总裁兼总经理Mark Roeloffzen与三菱电机半导体执行官兼集团总裁Takemi Masayoshi共同表示，他们都非常高兴能够达成这种共同开发合作伙伴关系，这将充分利用两家公司的半导体技术。
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