ictines消息，在DRAM和NAND Flash市场反弹之后，DDR3利基型存储在国际大厂对高频宽存储（HBM）和DDR5等高端应用的全力冲击下，空出了DDR3市场，从而推动了DDR3芯片价格的短期快速上涨。
预计本季度合约价将强劲增长10%至15%，而明年第一季度将继续看涨。华邦、钰创、晶豪科等厂商近期收到了大量订单，并开始加大备货力度，以抓住涨价带来的商机。
据法人指出，尽管标准型DRAM和NAND芯片目前主要由三星、SK海力士、美光等国际大厂主导，但中国台湾厂商在芯片制造端无法与它们抗衡。然而，模组厂有望以低价库存优势搭上DRAM和NAND芯片市场反弹的列车。而在DDR3制造方面，则是中国台湾厂商的天下。随着DDR3价格上涨，对中国台湾芯片厂商的帮助更大。
业界人士分析，这波存储市场转扬的主要原因是国际大厂陆续减产的效益发酵。近期随着产能紧缩，厂商更严格控制出货，以支撑价格上涨的决心。
另外，三星、SK海力士和美光都在积极拓展AI应用领域，将主要生产能力转移到生产高频宽芯片、DDR5等高端产品上。这也为DDR3市场创造了空间，近期客户库存回补以及消费性电子产品的紧急订单使得DDR3价格持续上涨。
钰创预测，随着库存消耗的结束，“行业周期的谷底已经过去”，现在正朝着复苏的方向迈进。他们乐观地预计明年全球DRAM市场将迎来显著的成长。
晶豪科也在不断推进自家产品的研发进程，无论是在DRAM、Flash还是MCP产品领域，都持续开发新品并涉足不同的市场，包括加速19纳米DRAM存储IC的研发、完成28纳米Nand Flash产品的量产，以及研发车规用的利基型存储IC产品。
华邦总经理陈沛铭也表示，本季度公司的运营情况将优于第3季度，并对明年的DRAM市场持乐观态度。
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