三星电子计划4月实现8层HBM3E量产

据韩媒报道，三星电子目前正在积极推进HBM3E 8层和12层产品的资格认证测试。按照计划，该公司最早将在本月向英伟达大规模供应8层产品，并预计在今年上半年完成12层产品的交付。这一系列动作显示出三星电子在高性能存储芯片领域的布局正在加速。
HBM3E作为高带宽存储器的升级版本，广泛应用于人工智能、数据中心和高性能计算领域。三星电子的快速推进，不仅体现了其在技术上的领先优势，也表明市场需求的旺盛。业内人士分析，英伟达作为全球领先的芯片设计公司，对高性能存储器的需求将持续增长，而三星电子的供应能力将成为关键支撑。

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