SK海力士大幅增加资本支出，加速HBM3E生产应对需求激增

据外媒thelec报道，SK海力士近日决定将其2023年的资本支出计划（CAPEX）提高30%，以应对市场对HBM3E产品需求的快速增长。此前，该公司计划今年在设施扩展上投资22万亿韩元（约合1122.66亿元人民币），但目前已上调至29万亿韩元（约合1479.87亿元人民币）。

据称，这一决定已在近期敲定，SK海力士已通知供应商，要求在10月之前将相关设备交付至位于韩国忠州的M15X工厂，比原计划提前两个月。这些调整旨在加速向英伟达等合作伙伴交付更多HBM产品。根据Counterpoint Research的数据，SK海力士在今年第一季度以36%的市场份额首次超越三星（34%），成为DRAM市场的领军企业。
此外，SK海力士上月透露，其今年的HBM生产能力已被客户预定一空，并已向客户交付HBM4 12H样品。与此同时，存储行业巨头正加速推进HBM4技术竞赛。三星计划在2025年实现HBM4量产，但其10nm 1c DRAM工艺尚未成熟，面临较大挑战。

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