新凯来杜立军：从7纳米到5纳米，制造步骤增加了约20%

据路透社报道，在SEMICON China 2025展会上，深圳市新凯来工业机器展示了多款自主研发的芯片生产设备。这些设备被认为能够助力生产先进制程芯片，以应对美国对中国先进芯片及制造设备出口的持续限制。
新凯来制程设备产品线总裁杜立军透露，尽管中国无法获得先进的极紫外光（EUV）曝光机，但公司已通过自主研发的非光学技术制程设备，解决部分蚀刻难题，从而实现5纳米制程芯片的生产。据悉，该技术已在2023年申请专利，无需依赖EUV设备即可完成生产，同时降低制造成本。
半导体行业普遍认为，荷兰ASML的EUV技术是5纳米及以下制程的关键。然而，中国厂商通过深紫外光（DUV）结合自动对焦四重曝光（SAQP）技术，已成功突破部分限制。不过，杜立军坦言，使用多重曝光技术实现从7纳米到5纳米的跨越，制造步骤增加了约20%，可能对生产良率产生影响。
新凯来由深圳市政府投资基金全资持有，母公司SiCarrier Technology成立于2021年。2023年12月，美国商务部将该公司列入出口管制实体清单，限制其获取美国技术产品。目前，其蚀刻、沉积设备以及光学量测工具已获中国主要晶圆代工厂采用，包括中芯国际。此外，有传闻称其与华为关系密切，但双方均未证实。
在本届SEMICON China展会上，新凯来展示了5款以中国名山命名的产品，包括外延沉积设备“峨眉山”、蚀刻设备“武夷山”、化学气相沉积设备“长白山”、物理气相沉积设备“普陀山”以及原子层沉积设备“阿里山”。
随着中国企业在半导体设备领域的技术突破，美国的制裁效果正逐渐减弱，这有助于中国减少对外国技术的依赖，推动半导体产业的自给自足目标。杜立军曾在一家全球领先的ICT公司任职23年，主导多个研发项目，目前负责新凯来的核心技术战略布局，推动公司业务快速增长。

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