三星租借长江存储专利，规划用于第10代3D NAND产品

据报道，三星电子已与中国NAND Flash制造商长江存储签署协议，租借其3D NAND混合键合专利。该专利将用于三星的第10代3D NAND（V10）产品，预计2025年下半年量产，堆叠层数或达420~430层。2HG28资讯网——每日最新资讯28at.com

2HG28资讯网——每日最新资讯28at.com

长江存储是首家将混合键合技术应用于3D NAND的公司，拥有强大的专利组合。三星V10 NAND将引入晶圆对晶圆形式的混合键合技术，以提高效能和生产力。2HG28资讯网——每日最新资讯28at.com

2HG28资讯网——每日最新资讯28at.com

此前，三星主要采用COP制程，但随着NAND堆叠层数增加，底部外围电路压力增大，因此决定引入混合键合技术。2HG28资讯网——每日最新资讯28at.com

2HG28资讯网——每日最新资讯28at.com

此举被视为三星通过友好协议降低未来风险，同时加快技术开发速度的策略。业界人士指出，三星在新一代NAND开发中不太可能避开长江存储的专利。2HG28资讯网——每日最新资讯28at.com

2HG28资讯网——每日最新资讯28at.com

此外，韩媒预期SK海力士也可能会与长江存储签署专利协议，以提高400层等级NAND产品的经济性和量产性。2HG28资讯网——每日最新资讯28at.com

本文链接：http://www.28at.com/showinfo-27-133726-0.html三星租借长江存储专利，规划用于第10代3D NAND产品

声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com

上一篇： 苹果宣布4年5000亿美元投资计划，或换取关税减免

下一篇： LGD量产40寸全座舱车用显示器，将亮相Sony本田电动车