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镓仁半导体实现4英寸氧化镓单晶导电型掺杂突破

来源：责编：时间：2025-02-21 09:36:46 219观看

导读据镓仁半导体官微消息，杭州镓仁半导体有限公司有新进展。公司基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，优化工艺，采用垂直布里奇曼（VB）法，成功实现 4 英寸氧化镓单晶的导电型掺杂。此前，镓仁半导体在 VB 法氧化镓单晶生长上，已

据镓仁半导体官微消息，杭州镓仁半导体有限公司有新进展。公司基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，优化工艺，采用垂直布里奇曼（VB）法，成功实现 4 英寸氧化镓单晶的导电型掺杂。

此前，镓仁半导体在 VB 法氧化镓单晶生长上，已实现直径 4 英寸的突破。之后，团队在此基础上开展导电型掺杂工作。令人惊喜的是，研发团队仅用一炉次，就完成了 4 英寸导电型氧化镓单晶的生长，并且长晶结果稳定可重复。

这充分展现出镓仁半导体自研的氧化镓专用晶体生长设备，以及配套的晶体生长工艺，在 VB 法氧化镓单晶生长方面，具备高适配性、高稳定性和高容错率的优势。

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