快科技12月19日消息，光刻机，似乎是中国在高科技领域的后一个拦路虎了！
据外媒报道，中国一家秘密实验室已经悄然组装出第一台EUV极紫外光刻系统的原型机，是通过逆向工程ASML现有的光刻机产品而来的，正处于秘密测试阶段，计划2028年试产原型芯片。
如果消息属实，无疑是中国的一次飞跃式突破，短短数年就掌握了原本需要数十年的技术。
消息称，这一EUV光刻机原型是2025年初在深圳一处安保严密的设施内组装完成的，几乎覆盖了整个厂房。
它没有采用清华大学研发的基于粒子加速器的稳态微聚束(SSMB)技术，也没有使用哈尔滨工业大学开发的放电等离子体(DPP)技术，而是和ASML Twinscan NXE系列光刻机相同的激光等离子体(LPP)技术，可产生波长为13.5纳米的极紫外光。
外媒称，这说明它使用了逆向工程手段，至少整合了大量由ASML首创的核心技术。
ASML LPP技术原理如下：
首先将直径约25-30微米的熔融锡液滴，以每秒约5万个的速度，注入真空腔体内。
随后，一台高功率二氧化碳激光器，向每个液滴发射一束低强度预脉冲激光，将液滴压平成圆盘状。
紧接着再发射一束能量更强的主脉冲激光，将被压平的锡靶汽化，形成温度超过20万摄氏度的超高温等离子体。
这种等离子体可发射出各向同性的极紫外光，随后由大型多层膜收集镜收集，并导入光刻机的反射光学系统，终完成对硅晶圆的光刻成像。
这一过程每秒可重复数万次。
报道指出，中国版EUV光刻机的体积显著大于ASML同类产品，但已经具备极紫外光的生成能力，只是尚未能制造出可用芯片。
关键瓶颈在于，中国仍无法复刻出ASML的高精度光学系统，甚至无法将极紫外光精准投射到晶圆上，更谈不上完成光刻成像。
同时，极紫外光源的功率指标也不清楚，这是决定光刻机能否实现量产的核心参数。
此外，超高精度收集镜系统、照明光学系统、投影光学系统、晶圆存储系统、晶圆台、掩模台等光刻机核心部件的研发进度，也均属未知。
报道提到，中国EUV光刻机的研发团队由前ASML工程师和应届大学毕业生组成，不仅聘请了ASML中国分公司的前员工，还吸纳了ASML在美国、欧洲、中国台湾的前雇员。
比如曾负责ASML EUV光源技术的林楠，目前在中科院上海光学精密机械研究所带领团队开展研发，在短短18个月内就申请了8项EUV相关专利。
报道还强调，为了保密，团队普遍都是用了假身份。
据说团队的规划是希望能在2028年，也就是未来两三年内，产出首批芯片原型，但外媒认为2030年才是更现实的时间节点。
需要明确的是，高端光刻机的研发，离不开精密光源、先进光学、超高精度机械、复杂控制软件、特种材料等多个领域技术的深度集成，而且所有系统都必须在纳米级公差范围内稳定、长期运行。
EUV光刻机更是极为庞杂，包含超过10万个零部件，对其进行逆向复刻的难度堪比登天，需要几百名具备专业知识的工程师协同攻关，也不一定能成功。
ASML在看到报道后也声明称：“想要复刻我们的技术，这一想法可以理解，但真正付诸实践绝非易事。”
综合来看，外媒的报道往往存在大量误导甚至错误信息，大家看看就好。
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