在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上,三星披露了下一代HBM3E的情况,相比现有HBM3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。
三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造,确切地说是14nm。
单Die容量可达24Gb,8颗堆叠就是24GB,12颗堆叠就是36GB,相比HBM3增加了一半。
等效频率可达9.8GHz,同样提升一半,领先SK海力士的9GHz、美光的9.2GHz,单颗芯片的带宽可以做到1-1.1225TB/s。
对于NVIDIA H100这样的计算卡,六颗HBM3E可以组成单卡216GB的海量内存,总带宽高达7.35TB/s。
能效方面,三星宣称可以提升10%,但显然会被25%的频率提升所抵消掉。
考虑到三星刚刚量产HBM3,新一代的HBM3E将在明年的某个时候量产,而出货可能要到明年底了。
正因为如此,NVIDIA下一代计算卡B100将独家使用SK海力士的HBM3E,三星至少第一批赶不上了。
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