据外媒体报道，存储芯片大厂三星在获得美国政府对其在中国的工厂的“无限期豁免”之后，使得三星在中国的工厂将无需特别许可申请，就可进口美国芯片设备来进行升级或扩产的动作。
报道称，在取得豁免后，三星高层已决定将其为在中国西安NAND Flash闪存工厂升级到236层堆叠的技术，并准备开始大规模扩产动作。
△三星 1Tbit Gen 8 V-NAND 芯片
报道引用消息人士的说法指出，三星已开始预定和购买新的半导体设备以用于接下来的制程转换动作。
预计，新设备将在2023年底交货，并在2024年于西安工厂陆续引进可生产三星第8代V-NAND的技术，堆叠层数将达到236层，相比其第7代V-NAND的176层数增长了34%。
这也被业界视为在当前全球NAND Flash闪存需求疲软，导致产能下降的应对计划。
根据公开数据显示，三星中国半导体有限公司在2012年正是落脚中国西安高新区。
其中，三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外內存半导体生产基地，于2014年开始运营，并在2020年增建第二座工厂后，主要以生产128层堆叠NAND Flash闪存为主，月产能达20万片12寸晶圆，占三星NAND Flash产总量的40%以上。
资料显示，三星在中国大陆的西安、苏州拥有存储芯片工厂。
其中，西安工厂是三星在华大投资项目，主要制造3D NAND闪存芯片。三星中国西安工厂的第一期工程投资108.7亿美元，而在2017年开始，三星开始展开第二期工程，两期工程先后共投资了150亿美元。
目前，三星西安工厂月产能将达到26.5万张12英寸晶圆，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%。
2022年，三星半导体西安工厂产值将突破1000亿元人民币。
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