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手机旗舰芯片大战Q4爆发，台积电3纳米制程订单激增

来源：责编：时间：2024-07-09 06:58:59 210观看

导读 class="art_content" 随着第四季度的临近，中国台湾联发科与美国高通的新一轮5G手机旗舰芯片大战即将拉开帷幕。联发科的天玑9400与高通的骁龙8 Gen 4将展开直接对决，两者均采用台积电最先进的3纳米制程技术生产，并已进

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随着第四季度的临近，中国台湾联发科与美国高通的新一轮5G手机旗舰芯片大战即将拉开帷幕。联发科的天玑9400与高通的骁龙8 Gen 4将展开直接对决，两者均采用台积电最先进的3纳米制程技术生产，并已进入投片阶段。

台积电3纳米制程产能的火爆程度超乎想象，客户排队已延续至2026年。联发科为确保天玑9400顺利上市，正积极在台积电投片生产，并力求产能无忧。作为联发科下一代旗舰芯片，天玑9400在性能上预计将远超现款天玑9300，成为市场新宠。

与此同时，高通虽未正式公布骁龙8 Gen 4的发布细节，但市场普遍预期该芯片同样采用台积电3纳米制程，并将于Q4推出，性能也将显著提升。据传，骁龙8 Gen 4采用台积电N3E制程，价格或较骁龙8 Gen 3上涨25%至30%。

高通旗舰芯片一直备受市场关注，其强大的客户阵容每年都是发布会的一大亮点。随着骁龙8 Gen 4的即将发布，市场正热切期待高通将如何再次携手众多知名品牌，共同推动智能手机行业的创新发展。

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