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韩媒:三星、台积电3纳米良率未超过60%

来源: 责编: 时间:2023-10-06 19:17:14 318观看
导读 三星、台积电的3纳米制程良率传落在50%~60%。法新社韩媒消息指出,三星电子(Samsung Electronics)、台积电3纳米制程良率尚未超过60%。加上近日苹果(Apple)iPhone 15系列搭载台积电3纳米芯片爆出过热争议,部分观点将原因指


三星、台积电的3纳米制程良率传落在50%~60%。法新社

韩媒消息指出,三星电子(Samsung Electronics)、台积电3纳米制程良率尚未超过60%。加上近日苹果(Apple)iPhone 15系列搭载台积电3纳米芯片爆出过热争议,部分观点将原因指向台积电,引起业界关注。j4v28资讯网——每日最新资讯28at.com


韩媒Chosun Biz引述业界消息指出,目前三星、台积电的3纳米制程良率约停在50~60%。先前也有业界分析指出,虽然三星3纳米良率超过60%,并供货国内大陆客户,但由于该芯片省略用于逻辑芯片的SRAM制程,很难看作是完整的3纳米制程。j4v28资讯网——每日最新资讯28at.com


引起外界注意的是,现阶段唯一拥有3纳米量产业绩的台积电,其良率传低于先前外界期待。近日,iPhone 15系列卷入发热争议中,虽然苹果透过iOS 17.0.3软件更新,用以解决iPhone 15 Pro系列过热问题。但也有部分观点将原因指向台积电3纳米制程,认为台积电沿用上一代制程用的鳍式场效应晶体管(FinFET)结构,未能正确控制发热。j4v28资讯网——每日最新资讯28at.com


另一方面,业界普遍认为,三星主打的3纳米环绕式闸极(GAA)技术,良率尚未达到吸引大客户的水准。虽然GAA结构可将闸极调控通道电位的功能最大化,让包含第四个底部在内的所有通道都被闸极环绕,而闸极360度环绕通道区域可以抑制短通道效应,进一步降低电压、提升效能,突破FinFET效能限制,但制程难度也相当高。j4v28资讯网——每日最新资讯28at.com


尽管三星比台积电更早投入3纳米GAA量产,但为吸引大型客户,制程须有一定良率水准,才可确保量产体制。根据消息人士说法,据推测,目前三星3纳米制程良率停留在50%左右,三星为在2024年拿下高通(Qualcomm)、三星系统LSI等主要客户的3纳米订单,至少要将良率提高到70%以上。j4v28资讯网——每日最新资讯28at.com


后续值得观察的是,三星、台积电的3纳米良率水准,预计将影响之后高通、三星系统LSI的3纳米移动芯片订单去向。此外,NVIDIA、超微(AMD)等企业也可能为分散供应链,将部分订单交给三星。j4v28资讯网——每日最新资讯28at.com



责任编辑:张兴民j4v28资讯网——每日最新资讯28at.com



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