拆解华为手机：芯片制造仅落后台积电3年
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时间：2024-08-28 16:38:07
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导读 class="art_content" 日本专业拆解公司TechanaLye社长清水洋治表示，中国半导体实力进步，已逼近到仅落后台积电3年的水平。清水洋治以华为最新手机Pura 70 Pro搭载的处理器（AP）麒麟9010，与华为2021年上市的高性能智能手机
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日本专业拆解公司TechanaLye社长清水洋治表示，中国半导体实力进步，已逼近到仅落后台积电3年的水平。清水洋治以华为最新手机Pura 70 Pro搭载的处理器（AP）麒麟9010，与华为2021年上市的高性能智能手机搭载发AP麒麟9000为例，两者相较之下，面积与处理性能差别不大。台积电以5纳米量产的“KIRIN 9000”(2021年) ㊧和中芯国际以7纳米生产的“KIRIN 9010”(2024年)的处理器性能差距不大。(图由TechanaLye提供)据悉，麒麟9010、麒麟9000均由华为旗下海思半导体设计，前者采用中国国产工艺量产，后者采用台积电5纳米制程技术。清水洋治指出，中国工艺量产的芯片面积为118.4平方毫米，和台积电5纳米芯片面积（107.8平方公毫米）差距不大，处理性能也基本相同。 两者差距最大的部分，应该是在于生产良率。此外，华为Pura 70 Pro手机中的半导体元件国产化率达到了惊人的86%。除了存储芯片和少数传感器外，该手机搭载的37个半导体元件中，有14个由海思半导体自主研发，另有18个来自其他中国企业。而来自中国以外的芯片仅有5个，包括韩国SK海力士的DRAM和德国博世的运动传感器等。"添加小助手申请进群"ND628资讯网——每日最新资讯28at.com
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