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东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块

来源: 责编: 时间:2023-09-02 18:18:39 234观看
导读 8月30日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块——“MG250YD2YMS3”。 新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,

8月30日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块——“MG250YD2YMS3”。 新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。nM328资讯网——每日最新资讯28at.com

类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多为1200V或1700V产品。然而,预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用,因此东芝发布了业界首款2200V产品。nM328资讯网——每日最新资讯28at.com

MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V(典型值)的低漏极-源极导通电压(传感器)。此外,它还具有较低的开通和关断损耗,分别为14mJ(典型值)和11mJ(典型值),与典型的硅(Si)IGBT相比降低了约90%。这些特性均有助于提高设备效率。由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗,用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路,有助于设备的小型化。nM328资讯网——每日最新资讯28at.com

东芝将不断创新,持续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。nM328资讯网——每日最新资讯28at.com

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