8月9日消息，SK海力士于当地时间8日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“2023闪存峰会” (Flash Memory Summit, FMS)上，公布了321层1Tb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND闪存开发的进展，并展示了现阶段开发的样品。
作为业界首家公布300层以上NAND具体开发进展的公司，SK海力士宣布，将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。
“以正在量产的最高级238层NAND积累的技术经验为基础，公司正在有序进行321层NAND的研发”，SK海力士相关负责人表示，“SK海力士将再次突破堆栈层数, 迎接300层NAND时代，继续引领市场。
321层1Tb TLC NAND的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。
近期，随着Chat GPT引发的生成型AI市场的需求增长，存储更多数据的高性能、高容量存储器需求也在急剧增加。
本次活动中，SK海力士还推出了针对这些需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案：采用PCIe 5(Gen5)接口的企业级固态硬盘 (Enterprise SSD, eSSD)及UFS 4.0。
公司希望借助这些能够达到世界级领先性能的产品，充分满足追求高性能客户的需求。
SK海力士还表示，公司在目前积累的产品技术和不断优化企业内部解决方案的基础上，正在积极开发下一代PCI 6.0和UFS 5.0产品，以致力于在未来继续引领市场。
SK海力士NAND闪存开发担当副社长崔正达在发表主题演讲时表示：“我们以通过开发第五代4D NAND 321层闪存产品，巩固品牌在NAND技术领域的领先地位”。“公司将积极推出人工智能时代所需的高性能、大容量NAND产品，继续引领行业”。
本文链接：http://www.28at.com/showinfo-21-4994-0.htmlSK海力士在2023闪存峰会上展示全球最高层321层NAND闪存样品
声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com
上一篇： 工信部组织开展移动互联网应用程序备案工作
Copyright © 2016-2023 天津谷骐科技有限公司 版权所有 sitemap.xml
违法及侵权请联系：2376512515@qq.com 津ICP备18001702号
津公网安备 12010102000574号
