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出口管制刺激自主水平!日本专业机构:中国半导体制造仅落后台积电3年

来源: 责编: 时间:2024-08-26 16:33:43 66观看
导读 快科技8月26日消息,据日本媒体报道,日本专业半导体分析机构TechanaLye的社长清水洋治表示,中国的半导体制造能力不断进步,仅落后于行业领导者台积电三年。他还表示,美国的出口管制措施仅稍微拖慢中国的技术革新,

快科技8月26日消息,据日本媒体报道,日本专业半导体分析机构TechanaLye的社长清水洋治表示,中国的半导体制造能力不断进步,仅落后于行业领导者台积电三年。bwZ28资讯网——每日最新资讯28at.com

他还表示,美国的出口管制措施仅稍微拖慢中国的技术革新,但却进一步刺激了中国半导体产业的自主生产脚步。bwZ28资讯网——每日最新资讯28at.com

TechanaLye在对华为智能手机处理器的分析中发现,华为旗下海思半导体设计的麒麟9010处理器采用国产7nm工艺。bwZ28资讯网——每日最新资讯28at.com

与台积电5nm工艺代工的Kirin 9000在芯片面积和性能上差距不大,显示出中国半导体逻辑制程的制造实力已经逼近国际先进水平。bwZ28资讯网——每日最新资讯28at.com

报告还指出,华为Pura 70 Pro手机中86%的半导体器件为中国制造,包括由海思半导体设计的14个主要半导体器件,以及其他中国厂商负责的18个。bwZ28资讯网——每日最新资讯28at.com

这一数据显示,中国在半导体领域的自主研发和生产能力已经取得了显著进步。bwZ28资讯网——每日最新资讯28at.com

清水洋治认为,美国管制主要针对AI等用途的服务器用先进半导体,而对于不构成军事威胁的产品,美国可能会放宽限制。bwZ28资讯网——每日最新资讯28at.com

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