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三星启动首款3nm GAA工艺SoC量产，预计搭载于Galaxy S25

来源：责编：时间：2024-05-08 09:15:06 241观看

导读5月8日消息，近日，三星电子官方宣布，公司已顺利启动其首款采用3nm Gate AllAround(GAA)环绕式栅极工艺的片上系统(SoC)的量产工作。此芯片预计将搭载于即将发布的GalaxyS25系列智能手机上，标志着三星在半导体工艺技术上的

5月8日消息，近日，三星电子官方宣布，公司已顺利启动其首款采用3nm Gate AllAround(GAA)环绕式栅极工艺的片上系统(SoC)的量产工作。此芯片预计将搭载于即将发布的GalaxyS25系列智能手机上，标志着三星在半导体工艺技术上的又一重大突破。

这款新型移动芯片集成了中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)以及来自Synopsis的多个知识产权(IP)模块，构成了一个高性能的处理单元。为了提升芯片的性能及生产效率，三星电子选择了与业界领先的电子设计自动化解决方案提供商Synopsys进行深入合作。通过使用Synopsys的aiEDA软件，三星得以在芯片设计过程中实现精细化的优化，进而提升芯片的整体性能。

三星开始量产首款 3nm Exynos芯片：Galaxy S25有望首发

据ITBEAR科技资讯了解，在芯片设计过程中，三星的工程师团队还广泛采用了Synopsys FusionCompiler等一系列先进的设计工具。这些工具不仅帮助三星实现了芯片性能的提升，还有效地降低了功耗，并优化了芯片的物理尺寸。具体来说，通过设计分区优化、多源时钟树综合(MSCTS)、智能线优化以及更加简洁高效的分层设计等方法，三星成功地将芯片的运行频率提高了300MHz，同时将功耗降低了10%。

三星此前在持续使用场景下，其生产的芯片往往会出现耗电量大及性能衰减的问题。然而，随着此次GAA技术的引入，三星有望进一步改善这一状况。GAA技术的采用不仅代表着三星在半导体工艺上的创新，也预示着其在解决传统芯片性能瓶颈问题上迈出了坚实的一步。

标签：三星

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